计算机考研408知识点:RAM和ROM芯片特点
一、SRAM特点
SRAM采用触发器电路来存储信息;读写速度快，常用作高速缓冲存储器;只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无须刷新;也不会因为读操作而使其状态发生改变，故无须读后再生;但是，功耗大，集成度低，只要电源被切断，原来保存的信息便会丢失，故属于易失性半导体存储器。
二、DRAR特点
DRAM采用电容储存电荷来存储信息;读写速度比SRAM慢的，常用作主存;电容会发生漏电现象，所以要使状态保持不变，必须定时刷新;因为读操作会使状态发生改变，故需读后再生;DRAM功耗小，集成度高，也属于易失性半导体存储器。
DRAM芯片容量较大，因而地址位数较多，为了减少芯片的地址引脚数，从而减少体积，大多数采用地址引脚复用技术，即在行选通信号图片和列选通信号图片的控制下，行地址和列地址通过相同的管脚分先后两次输入，这样地址引脚数可减少一半。
三、ROM的特点
信息只能读不能写;非破坏性读出，无需再生;以随机存取方式工作;信息用特殊方式写入，一经写入，就可长久保存，不受断电影响，故是非易失性存储器。
用途：用来存放一些固定程序(如监控程序、启动程序等)和一些不需要修改的程序(可作为控制存储器，存放微程序)。
Flash存储器又称闪存，由MOS管组成，是一种高密度、可在线擦除和重写、非易失性的半导体存储器。它具有整片擦除、读速度大于写速度、功耗低、集成度高的特点。U盘属于Flash存储器。
零基础备考，时不待人追赶要及时，线上线下双线教学，在职/在校/再战人群各取所需，锻炼应试能力，以应对考研为核心学习目的
考研大数据解密变难"成必然趋势？与其焦虑不如提早准备营造优势，全日制集训营让你满载而归。地毯式扫清学习漏洞，漏洞式补强薄弱环节
23考研备考交流群
微信互动
关注微博
